| bargesst | Дата: Четверг, 19.06.2008, 10:48 | Сообщение # 1 |
| |
 |
| Модератор игрового форума |
| |
| Группа: BAN |
| Сообщений: 227 |
|
« » |
| |
Статус:  |
| |
|
При разработке новых процессоров разработчики всегда сталкиваются с проблемой пропускной способности, которая мешает максимальной загрузке всех ядер. Один из возможных вариантов решения – увеличение скорости «общения» между ядрами. Во время конференции Research@Intel Day наши коллеги с сайта TG Daily пообщались с двумя инженерами из Intel, которые рассказали о новой двух-транзисторной памяти DRAM. Парни считают, что будущее микропроцессоров скрывается за этой технологией. Интеграция памяти DRAM прямо в процессор и доведение ее частот до уровня современных моделей Core 2 позволит увеличить внутреннюю пропускную способность до 200 Гб/с. Никакие сроки представители компании не называли. 
|
| |
|
|
